Die kubische Phase von Bornitrid (c-BN) gehört aufgrund ihrer bemerkenswerten mechanischen und chemischen Eigenschaften zu den Schichtmaterialien mit dem größten Potential für Verschleißschutzanwendungen. Die spannungsfreie Abscheidung konnte jedoch trotz intensiver Forschung bislang nicht erfolgreich realisiert werden. Wir präsentieren nun eine Methode, mit der durch alternierende Anwendung der Laserpulsabscheidung unter Ionenbeschuss und indirekter Laserpuls-Entspannung die nahezu spannungsfreie Erzeugung von dünnen c-BN-Subschichten möglich wird. So können sukzessiv dicke Wechselschichtsysteme aus c-BN und h-BN (hexagonale Phase) bis wenige μm Schichtdicke mit hervorragenden mechanischen Eigenschaften realisiert werden.